EPC2049ENGRT
TRANS GAN 40V BUMPED DIE
شماره قطعه
EPC2049ENGRT
سازنده / برند
سلسله
eGaN®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Cut Tape (CT)
فن آوری
GaNFET (Gallium Nitride)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
Die
بسته دستگاه تامین کننده
Die
اتلاف نیرو (حداکثر)
-
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
40V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
5 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
2.5V @ 6mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
7.6nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
805pF @ 20V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
5V
Vgs (حداکثر)
+6V, -4V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 21086 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از EPC2049ENGRT
EPC2049ENGRT اجزای الکترونیکی
EPC2049ENGRT حراجی
EPC2049ENGRT تامین کننده
EPC2049ENGRT پخش کننده
EPC2049ENGRT جدول داده
EPC2049ENGRT عکس
EPC2049ENGRT قیمت
EPC2049ENGRT پیشنهاد
EPC2049ENGRT پایین ترین قیمت
EPC2049ENGRT جستجو کردن
EPC2049ENGRT خرید
EPC2049ENGRT Chip