تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
EPC2029
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
شماره قطعه
EPC2029
سازنده / برند
سلسله
eGaN®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
فن آوری
GaNFET (Gallium Nitride)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
Die
بسته دستگاه تامین کننده
Die
اتلاف نیرو (حداکثر)
-
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
80V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
48A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
2.5V @ 12mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
13nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1410pF @ 40V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
5V
Vgs (حداکثر)
+6V, -4V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 32614 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از EPC2029
EPC2029 اجزای الکترونیکی
EPC2029 حراجی
EPC2029 تامین کننده
EPC2029 پخش کننده
EPC2029 جدول داده
EPC2029 عکس
EPC2029 قیمت
EPC2029 پیشنهاد
EPC2029 پایین ترین قیمت
EPC2029 جستجو کردن
EPC2029 خرید
EPC2029 Chip