EPC2022
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
شماره قطعه
EPC2022
سازنده / برند
سلسله
eGaN®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Digi-Reel®
فن آوری
GaNFET (Gallium Nitride)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
Die
بسته دستگاه تامین کننده
Die
اتلاف نیرو (حداکثر)
-
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
100V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
2.5V @ 12mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
-
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1500pF @ 50V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
5V
Vgs (حداکثر)
+6V, -4V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 28533 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از EPC2022
EPC2022 اجزای الکترونیکی
EPC2022 حراجی
EPC2022 تامین کننده
EPC2022 پخش کننده
EPC2022 جدول داده
EPC2022 عکس
EPC2022 قیمت
EPC2022 پیشنهاد
EPC2022 پایین ترین قیمت
EPC2022 جستجو کردن
EPC2022 خرید
EPC2022 Chip