تصویر ممکن است نشان دهنده باشد.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
EPC2021
TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
شماره قطعه
EPC2021
سازنده / برند
سلسله
eGaN®
وضعیت قطعه
Active
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
فن آوری
GaNFET (Gallium Nitride)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
Die
بسته دستگاه تامین کننده
Die
اتلاف نیرو (حداکثر)
-
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
80V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
2.5V @ 14mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
15nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1650pF @ 40V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
5V
Vgs (حداکثر)
+6V, -4V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 11409 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از EPC2021
EPC2021 اجزای الکترونیکی
EPC2021 حراجی
EPC2021 تامین کننده
EPC2021 پخش کننده
EPC2021 جدول داده
EPC2021 عکس
EPC2021 قیمت
EPC2021 پیشنهاد
EPC2021 پایین ترین قیمت
EPC2021 جستجو کردن
EPC2021 خرید
EPC2021 Chip