EPC2018
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
شماره قطعه
EPC2018
سازنده / برند
سلسله
eGaN®
وضعیت قطعه
Discontinued at Digi-Key
بسته بندی
Digi-Reel®
فن آوری
GaNFET (Gallium Nitride)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 125°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته / مورد
Die
بسته دستگاه تامین کننده
Die
اتلاف نیرو (حداکثر)
-
نوع FET
N-Channel
ویژگی FET
-
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
150V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID
2.5V @ 3mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs
7.5nC @ 5V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
540pF @ 100V
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
5V
Vgs (حداکثر)
+6V, -5V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.
در انبار 14227 PCS
اطلاعات تماس
محصولات مرتبط
کلمات کلیدی از EPC2018
EPC2018 اجزای الکترونیکی
EPC2018 حراجی
EPC2018 تامین کننده
EPC2018 پخش کننده
EPC2018 جدول داده
EPC2018 عکس
EPC2018 قیمت
EPC2018 پیشنهاد
EPC2018 پایین ترین قیمت
EPC2018 جستجو کردن
EPC2018 خرید
EPC2018 Chip