تصویر ممکن است نشان دهنده باشد. برای جزئیات محصول به مشخصات مراجعه کنید.
NCP5106BDR2G
Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
شماره قطعه
NCP5106BDR2G
دسته بندی
Power Chip > Gate Driver IC
سازنده / برند
onsemi (Ansemi)
کپسوله سازی
SOIC-8-150mil
بسته بندی
taping
تعداد بسته ها
2500
شرح
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.