The H11AG1M series consists of an AlGaAs infrared emitting diode coupled with a silicon phototransistor using dual-row plug-inencapsulation. This device has the unique feature of high current transfer ratio at low output voltage and low input current. This feature makes it ideal for low power logic circuits, telecom equipment and portable electronic isolation applications
در خواست نقل قول
لطفاً تمام فیلدهای الزامی را تکمیل کنید و روی "SUBMIT کلیک کنید، ما ظرف 12 ساعت از طریق ایمیل با شما تماس خواهیم گرفت. اگر مشکلی دارید، لطفاً پیام یا ایمیل را به [email protected] بگذارید. ، ما در اسرع وقت پاسخ خواهیم داد.